Компания Samsung уже приступила к производству 3-битной NAND памяти емкостью 64 ГБ, выполненной по нормам 20-нм технологического процесса. Надо отметить, что производство такой памяти, но емкостью 32 ГБ компания начала еще в апреле 2010 года. Такая память уже используется в устройствах от компании Apple, что провоцирует распространение слухов о дальнейшем росте объемов встроенной в iOS-гаджеты памяти при сохранении той же стоимости.

Такое развитие обеспечивает удвоение емкости памяти при одновременном 60% приросте производительности в сравнении с памятью того же объема, выполненной по 30-нм техпроцессу, которая поставлялась на рынок всего год назад. Новая NAND-флеш память использует чипы емкостью 8 ГБ в сравнении с более ранними образцами, в которых на один чип приходилось только 4 ГБ. Также в устройствах используется технология Toggle DDR, которая обеспечивает большую скорость работы для оперативной флеш памяти. Компания Samsung является одним из крупнейших производителей флеш памяти в мире, при этом на ее долю приходится не менее 40% от всего выпуска NAND памяти. Новые модули 3-битной NAND памяти емкостью 64 ГБ, выполненной по нормам 20-нм технологического процесса, найдут применение в SSD накопителях и картах памяти SD-формата.